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理研計器 | 半導體制造工藝全解析，氣體檢測不可或缺~
發(fā)布時間：2024-04-11
半導體制造工藝全解析
隨著科技的不斷進步，半導體技術(shù)在各個領(lǐng)域得到了廣泛的應用，如計算機、手機、數(shù)碼產(chǎn)品甚至人工智能等。半導體工藝是半導體器件制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，也是半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)。
那么半導體究竟是怎樣被制造出來的呢？今天就跟著理研計器一起來看一下▼▼▼
01
晶圓制備，畫布開始：
半導體工藝的第一步，就是制造晶圓，晶圓是一種很薄而且非常光滑的半導體材料圓片，是集成電路的“畫布”。一切后續(xù)的半導體工藝都是在這個“畫布”上展開。
以硅基晶圓為例，半導體晶圓的主要制備步驟有：硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。
晶圓制備完成后，半導體的畫布就形成了，后續(xù)半導體工藝由此開始。
02
氧化工藝，制作鎧甲：
在半導體電路中，除了用于可控導電的各種二極管、三極管外，還必須要用絕緣物質(zhì)將不同的電路隔離開來，對于硅基元素來說，形成這種絕緣物質(zhì)最方便的方法就是將硅進行氧化，形成二氧化硅（SiO2）了。通過氧化工藝，脆弱的硅基晶圓就像穿上了一層“鎧甲”。
氧化工藝是指在半導體晶片表面形成氧化層的過程，氧化層可以增強晶片的絕緣性能，并且可以作為蝕刻掩膜、電介質(zhì)、層間絕緣等多種用途，常見的氧化工藝有濕法氧化和干法氧化兩種。
在半導體工藝中，氧化工藝非常重要，它為后續(xù)的制造步驟提供了基礎(chǔ)和保障，氧化層不僅可以隔離和保護硅晶圓，還可以作為掩膜層來定義電路圖案，沒有氧化層，半導體器件就無法實現(xiàn)高性能、高可靠性和高集成度。
03
光刻蝕刻，圖案繪制：
有了畫布素材，終于可以任由芯片設(shè)計師揮毫潑墨，自由創(chuàng)作了，光刻和刻蝕步驟就是將芯片設(shè)計師所設(shè)計的圖案，轉(zhuǎn)移到晶圓片上的過程。通過光刻及刻蝕步驟，就可以將希望的圖形，在晶圓片上真正實現(xiàn)。
光刻
完成圖案轉(zhuǎn)移
光刻技術(shù)是一種將掩模板（Mask）上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的晶圓片上的技術(shù)。光刻技術(shù)可以將半導體表面上特定的區(qū)域去除或者保留，從而構(gòu)建半導體器件。
光刻步驟主要包括：設(shè)計電路并制作掩模板、涂光刻膠、曝光、顯影與堅膜。
蝕刻
形成圖案
經(jīng)過了光刻步驟之后，所需要的圖案已經(jīng)被印在了晶圓表面的光刻膠上。但要實現(xiàn)半導體器件的制作，還需要把半導體器件按照光刻膠的圖形復刻出來。這個復刻的過程就叫刻蝕（Etching）。
半導體刻蝕方法分為兩類，分別是濕法刻蝕和干法刻蝕。
04
摻雜工藝，注入靈魂：
摻雜工藝是半導體工藝中的靈魂工藝，電路中各半導體器件的電學性能在此步驟形成。在此步驟之前，整片晶圓不過是一片冷冰冰的材料一片，過了此步驟，才有了各種各樣的二極管、三極管、CMOS以及電阻等，至此，從沙子而來的晶圓片終于有了靈魂。
摻雜工藝是半導體工藝中最核心和最基礎(chǔ)的技術(shù)之一，對于半導體器件的設(shè)計和制造具有決定性的影響，實現(xiàn)摻雜的主要方法有兩種，即熱擴散和離子注入。
01
熱擴散是在高溫下（約1000℃）將半導體暴露在一定摻雜元素的氣態(tài)下，利用化學反應和熱運動使雜質(zhì)原子擴散到半導體表層的過程；
02
離子注入是將雜質(zhì)原子電離成離子，用高能量的電場加速，然后直接轟擊半導體表面，使雜質(zhì)原子“擠”進到晶體內(nèi)部的過程；
05
薄膜沉積，阡陌交通：
薄膜工藝就是指在半導體晶晶圓片上沉積各種材料，以實現(xiàn)不同電路功能或特性的過程，各個半導體器件之間或是金屬連接，或是電場聯(lián)系，均需要用這些薄膜層實現(xiàn)。
沉積：晶圓畫布上的噴涂刷
沉積工藝就像是噴涂刷，將涂料均勻的薄薄噴灑在晶圓表面上，沉積主要分為物理氣相沉積（PVD）和化學氣相沉積（CVD）。
01
PVD是利用物理方法，將材料源氣化成氣態(tài)原子、分子，或電離成離子，并通過低壓氣體，在基體表現(xiàn)沉積成薄膜的過程。一般用來沉積金屬薄膜。
02
CVD是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物，在襯底表面進行化學反應形成薄膜的方法。一般用于沉積半導體或絕緣體，以及金屬合金等。
拋光：噴涂后的找平
拋光就是用于晶圓表面薄膜層平整化的技術(shù)。拋光工藝中，最主要的工藝是CMP（化學機械拋光），CMP是一種利用化學腐蝕和機械摩擦的結(jié)合來實現(xiàn)晶圓表面平坦化的技術(shù)，研磨對象主要是淺溝槽隔離(STI)，層間膜和銅互連層等。
以上就是芯片制造中的主要工藝（以硅基半導體為主要參考），芯片的制造工藝是一個復雜的過程，每個步驟都對半導體性能和功能有重要影響。
半導體行業(yè)迅猛發(fā)展，在其生產(chǎn)過程中所需氣體使用量也在不斷加大，上述的不同工藝中就用不各種各樣不同的特種氣體，現(xiàn)如今半導行業(yè)體特種氣體品類更加多樣化，其中不乏一些易燃氣體以及對人體產(chǎn)生危害的有毒有害氣體，如何保證生產(chǎn)過程中的氣體使用安全，也是行業(yè)關(guān)注的焦點。
如何預防半導體行業(yè)易燃、有毒有害氣體
半導體制造業(yè)被美國(FMS)組織列為”極高風險”的行業(yè)，主要是因為它在制程中要使用到極高毒性、腐蝕性及易燃性氣體，再加上無塵室的密閉作業(yè)環(huán)境及回風系統(tǒng)，所有這些因素都大大增加了半導體廠房的風險。
作為半導體晶圓代工廠氣體的使用者，每一位工作人員都應該在使用前對各種危險氣體的安全數(shù)據(jù)加以了解，并且應該知道如何應對這些氣體外泄時的緊急處理程序。
根據(jù)現(xiàn)行國家標準《特種氣體系統(tǒng)工程技術(shù)規(guī)范》GB50646-2011和《有毒氣體檢測報警儀技術(shù)條件及檢驗方法》HG23006中的有關(guān)規(guī)定，同時結(jié)合半導體工廠使用氣體檢測裝置產(chǎn)品的快速響應要求作出檢測報警響應時間規(guī)定：
要求處于抽風口或環(huán)境點安裝毒性氣體偵測器及系統(tǒng)，若發(fā)生任何有毒氣體的泄漏將會被氣體偵測系統(tǒng)所偵測到，這個控制系統(tǒng)將根據(jù)氣體外泄對人體危害的大小來確定整個氣體輸送系統(tǒng)的相關(guān)互鎖動作，嚴重時緊急關(guān)閉上游所有氣源，同時會驅(qū)動中央控制室和現(xiàn)場的相關(guān)報警系統(tǒng)LAU，甚至會驅(qū)動全廠的自動語音廣播系統(tǒng)通知立即疏散，要求相關(guān)人員迅速撤離報警區(qū)域。
半導體行業(yè)在生產(chǎn)、制造、工藝等方面或多或少都會涉及到易燃易爆、有毒有害氣體，為避免這些危險氣體泄漏等導致的事故，半導體行業(yè)用氣體檢測儀的使用不可或缺。
理研計器半導體行業(yè)危險氣體檢測方案
氣體檢測儀在現(xiàn)今半導體工業(yè)已成為必備的環(huán)境監(jiān)控儀器，也是最為直接的監(jiān)測工具。
理研計器一直關(guān)注半導體制造行業(yè)的安全發(fā)展，以為人們營造安全的工作環(huán)境為使命，潛心開發(fā)適用于半導體行業(yè)的氣體傳感器，針對用戶遇到的各種問題，提供合理的解決方案，不斷升級產(chǎn)品功能，優(yōu)化系統(tǒng)。
結(jié)語
半導體制造業(yè)在生產(chǎn)環(huán)節(jié)經(jīng)常要使用到極高毒性，腐蝕性及易燃性氣體，氣體檢測系統(tǒng)一直是半導體芯片廠廠務各系統(tǒng)中最重要環(huán)節(jié)之一，設(shè)計上的優(yōu)劣會直接影響到整個廠的安全，同時作為使用儀器的工廠安全人員也應該具備氣體檢測的安全意識。
安全生產(chǎn)是關(guān)系人民群眾生命財產(chǎn)安全的大事，是經(jīng)濟社會協(xié)調(diào)發(fā)展的標志。在生產(chǎn)過程中，通過安裝氣體檢測報警裝置，時刻檢測有毒有害氣體泄漏濃度，將風險隱患控制在源頭。
理研計器擁有600多種氣體傳感器和100多種氣體探測器。未來，我們?nèi)詫⒉粩嚅_發(fā)新產(chǎn)品、研發(fā)各項新功能，使得氣體檢測儀在應用上更先進、更適合日新月異的市場環(huán)境，致力于為用戶提供一個可靠、準確、安全的氣體檢測方案。
理研計器必將在未來氣體產(chǎn)業(yè)的生命安全畫卷中，添上濃墨重彩的一筆，守護人們的幸福生活，為生產(chǎn)和生活不斷創(chuàng)造新價值！為用戶選配適合原理的檢測儀，用成熟的工藝完善氣體檢測系統(tǒng)。