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理研計(jì)器|半導(dǎo)體工藝全流程之光刻工藝
發(fā)布時(shí)間：2023-06-14
每個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造都需要數(shù)百個(gè)工藝，我們將整個(gè)制造過(guò)程分為八個(gè)步驟：晶圓加工-氧化-光刻-刻蝕-薄膜沉積-外延生長(zhǎng)-擴(kuò)散-離子注入。
為幫助大家了解和認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體及相關(guān)工藝，我們將每期推送微信文章，為大家逐一介紹上述每個(gè)步驟。
在上一篇文章中提到，為了保護(hù)晶片免受各種雜質(zhì)的影響，制作了氧化膜的--氧化工藝。今天我們就來(lái)討論一下在形成氧化膜的晶片上照出半導(dǎo)體設(shè)計(jì)電路的“光刻工藝”。
光刻工藝
1.什么是光刻工藝
光刻就是把芯片制作所需要的線(xiàn)路與功能區(qū)做出來(lái)。
利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線(xiàn)路圖的作用。這就是光刻的作用，類(lèi)似照相機(jī)照相。照相機(jī)拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。
光刻技術(shù)是一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。
常規(guī)光刻技術(shù)是采用波長(zhǎng)為 2000～4500 埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗光刻技術(shù)蝕劑為中間（圖像記錄）媒介實(shí)現(xiàn)圖形的變換、轉(zhuǎn)移和處理，最終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質(zhì)層上的一種工藝。
可以說(shuō)，光刻技術(shù)是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，光刻技術(shù)直接決定了這些技術(shù)的發(fā)展水平。
自1959年集成電路成功發(fā)明至今的60多年中，其圖形線(xiàn)寬縮小了約四個(gè)數(shù)量級(jí)，電路集成性提高了六個(gè)數(shù)量級(jí)以上。這些技術(shù)的飛速進(jìn)步主要?dú)w功于光刻技術(shù)的發(fā)展。
（集成電路制造的各個(gè)發(fā)展階段對(duì)于光刻技術(shù)的要求）
2.光刻的基本原理
光刻材料一般特指光刻膠，又稱(chēng)為光刻抗蝕劑，是光刻技術(shù)中的最關(guān)鍵的功能材料。這類(lèi)材料具有光（包括可見(jiàn)光、紫外光、電子束等）反應(yīng)特性，經(jīng)過(guò)光化學(xué)反應(yīng)后，其溶解性發(fā)生顯著變化。
其中，正性光刻膠在顯影液中的溶解度增加，得到的圖案與掩膜版相同；負(fù)性光刻膠則相反，即經(jīng)顯影液后溶解度降低甚至不溶，得到的圖案與掩膜版相反。兩種光刻膠的應(yīng)用領(lǐng)域是不同的，正性光刻膠使用更為普遍，占到總量的80%以上。
以上是光刻工藝的流程示意圖
（1）涂膠：即在硅片上形成厚度均勻、附著性強(qiáng)、沒(méi)有缺陷的光刻膠薄膜。為了增強(qiáng)光刻膠薄膜與硅片之間的附著力，往往需要先用六甲基二硅氮烷（HMDS）、三甲基硅烷基二乙胺（TMSDEA）等物質(zhì)對(duì)硅片進(jìn)行表面改性。隨后以旋涂的方式制備光刻膠薄膜。
（2）前烘：經(jīng)過(guò)旋涂后的光刻膠薄膜依舊殘留有一定含量的溶劑。經(jīng)過(guò)較高溫度的烘烤，可以將溶劑盡可能低揮發(fā)除去，前烘之后，光刻膠的含量降低到5%左右。
（3）曝光：即對(duì)光刻膠進(jìn)行光照，此時(shí)光反應(yīng)發(fā)生，光照部分與非光照部分因此產(chǎn)生溶解性的差異。
（4）顯影&堅(jiān)膜：即將產(chǎn)品浸沒(méi)于顯影液之中，此時(shí)正性膠的曝光區(qū)和負(fù)性膠的非曝光區(qū)則會(huì)在顯影中溶解。以此呈現(xiàn)出三維的圖形。經(jīng)過(guò)顯影后的晶片，需要一個(gè)高溫處理過(guò)程，成為堅(jiān)膜，主要作用為進(jìn)一步增強(qiáng)光刻膠對(duì)襯底的附著力。
（5）刻蝕：受到刻蝕的是光刻膠下方的材料。包括液態(tài)的濕法刻蝕和氣態(tài)的干法刻蝕。比如對(duì)于硅的濕法刻蝕，使用的為氫氟酸的酸性水溶液；對(duì)于銅的濕法刻蝕，使用的為硝酸、硫酸等強(qiáng)酸溶液，而干法刻蝕往往使用等離子體或者高能離子束，使材料表面產(chǎn)生損傷而得到刻蝕。
（6）去膠：最后需要將光刻膠從鏡片表面除去，這一步驟稱(chēng)為去膠。
安全性是所有半導(dǎo)體生產(chǎn)中最重要的問(wèn)題，芯片光刻工藝過(guò)程中危險(xiǎn)有害光刻氣體主要有以下幾種：
1.過(guò)氧化氫
過(guò)氧化氫（H2O2）是很強(qiáng)的氧化劑，直接接觸會(huì)引起皮膚和眼睛發(fā)炎及灼傷。
2.二甲苯
二甲苯是負(fù)光刻餃?zhǔn)褂玫囊豢迫芸c顯影劑．易燃且點(diǎn)只有27.3℃〔大約是室溫），而且在空氣中的濃度為1%-7%時(shí)就具有爆炸性。重復(fù)接觸二甲苯會(huì)引起皮膚發(fā)炎。二甲苯蒸氣是甜的，與飛機(jī)黏著削的氣味一樣；暴露在二甲苯中時(shí)會(huì)引起眼睛．鼻子和喉嚨發(fā)炎．吸入該氣體會(huì)引起頭疼、暈眩、失去食欲及疲勞。
3.六甲基二硅氮烷（HMDS）
六甲基二硅氮烷(HMDS) 最常用來(lái)增加光刻膠在品圓表面附著力的底漆層，易燃且燃點(diǎn)為6.7℃，當(dāng)在空氣中的濃度為0.8%-16%時(shí)具有爆炸性，HMDS會(huì)強(qiáng)烈地與水、酒精和礦物質(zhì)酸反應(yīng)釋放出氨水。
4.氫氧化四甲基氨
氫氧化四甲基氨(TMAH〕廣泛用于作為正光刻的顯影劑，有毒也具有腐沖性，吞下或與皮膚直接接觸則可能致命；與TMAH的從塵或霧氣接觸會(huì)引起眼睛、皮膚、鼻子和喉嚨發(fā)炎．吸入高濃度的TMAH將導(dǎo)致死亡。
5.氯與氟
氯（Cl2）與氟（F2）都用在準(zhǔn)分子激光器中作為深紫外線(xiàn)和極紫外線(xiàn)（EUV）光源，兩種氣體都具有毒性，皆旱現(xiàn)淺綠色，具有強(qiáng)烈的剌激性氣昧，吸入高濃度的這種氣體將導(dǎo)致死亡。氟氣可能會(huì)與水反應(yīng)，產(chǎn)生氟化氫氣體。氟化氫氣體是一種強(qiáng)酸，對(duì)皮膚、眼睛和呼吸道有刺激作用，可能會(huì)導(dǎo)致燒傷、呼吸困難等癥狀。高濃度的氟化物會(huì)對(duì)人體造成中毒，引起頭痛、嘔吐、腹瀉、昏迷等癥狀。
6.氬氣
氬氣（Ar）是一種惰性氣體，通常不會(huì)對(duì)人體造成直接的危害。在正常情況下，人們呼吸的空氣中含有約0.93%的氬氣，而這個(gè)濃度對(duì)人體沒(méi)有明顯的影響。然而，在某些情況下，氬氣可能會(huì)對(duì)人體造成危害。
以下是一些可能的情況：在密閉的空間中，氬氣的濃度可能會(huì)升高，從而降低空氣中的氧氣濃度，導(dǎo)致缺氧。這可能會(huì)引起頭暈、乏力、呼吸急促等癥狀。此外，氬氣是一種惰性氣體，但在高溫或高壓下，它可能會(huì)爆炸。
7.氖氣
氖氣（Ne）是一種穩(wěn)定的、無(wú)色無(wú)味的氣體，不會(huì)參與人體的呼吸過(guò)程，因此在高濃度的氖氣環(huán)境中呼吸，會(huì)導(dǎo)致缺氧。如果長(zhǎng)時(shí)間處于缺氧狀態(tài)，可能會(huì)引起頭痛、惡心、嘔吐等癥狀。此外，氖氣在高溫或高壓下，可能會(huì)與其他物質(zhì)反應(yīng)，產(chǎn)生火災(zāi)或爆炸。
8.氙氣
氙氣（Xe）是一種穩(wěn)定的、無(wú)色無(wú)味的氣體，不會(huì)參與人體的呼吸過(guò)程，因此在高濃度的氙氣環(huán)境中呼吸，會(huì)導(dǎo)致缺氧。如果長(zhǎng)時(shí)間處于缺氧狀態(tài)，可能會(huì)引起頭痛、惡心、嘔吐等癥狀。此外，氙氣在高溫或高壓下，可能會(huì)與其他物質(zhì)反應(yīng)，產(chǎn)生火災(zāi)或爆炸。
9.氪氣
氪氣（Kr）是一種穩(wěn)定的、無(wú)色無(wú)味的氣體，不會(huì)參與人體的呼吸過(guò)程，因此在高濃度的氪氣環(huán)境中呼吸，會(huì)導(dǎo)致缺氧。如果長(zhǎng)時(shí)間處于缺氧狀態(tài)，可能會(huì)引起頭痛、惡心、嘔吐等癥狀。此外，氪氣在高溫或高壓下，可能會(huì)與其他物質(zhì)反應(yīng)，產(chǎn)生火災(zāi)或爆炸。
半導(dǎo)體行業(yè)危險(xiǎn)氣體檢測(cè)方案
半導(dǎo)體行業(yè)在生產(chǎn)、制造、工藝等方面會(huì)涉及產(chǎn)生易燃易爆、有毒有害性的氣體。作為半導(dǎo)體制造工廠氣體的使用者，每一位工作人員都應(yīng)該在使用前對(duì)各種危險(xiǎn)氣體的安全數(shù)據(jù)加以了解，并且應(yīng)該知道如何應(yīng)對(duì)這些氣體外泄時(shí)的緊急處理程序。
在半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)、制造及儲(chǔ)存等過(guò)程中，為了避免這些危險(xiǎn)氣體的泄露導(dǎo)致的生命財(cái)產(chǎn)損失，需要安裝氣體檢測(cè)儀器，來(lái)對(duì)目標(biāo)氣體進(jìn)行檢測(cè)。
氣體檢測(cè)儀在現(xiàn)今半導(dǎo)體工業(yè)已成為必備的環(huán)境監(jiān)控儀器，也是最為直接的監(jiān)測(cè)工具。
理研計(jì)器一直關(guān)注半導(dǎo)體制造行業(yè)的安全發(fā)展，以為人們營(yíng)造安全的工作環(huán)境為使命，潛心開(kāi)發(fā)適用于半導(dǎo)體行業(yè)的氣體傳感器，針對(duì)用戶(hù)遇到的各種問(wèn)題，提供合理的解決方案，不斷升級(jí)產(chǎn)品功能，優(yōu)化系統(tǒng)。
6月29日-7月01日，上海新國(guó)際博覽中心舉辦的“SEMICON China 2023上海國(guó)際半導(dǎo)體展覽會(huì)”，理研計(jì)器將在E7423展位為大家?guī)?lái)新產(chǎn)品新方案，屆時(shí)將更好地為半導(dǎo)體工廠氣體安全作出貢獻(xiàn)。
上海新國(guó)際博覽中心E7423展位號(hào)，
非常歡迎大家來(lái)到展位現(xiàn)場(chǎng)參觀和洽談，
我們會(huì)有專(zhuān)業(yè)團(tuán)隊(duì)與您面對(duì)面溝通解答！
敬請(qǐng)期待！
結(jié)語(yǔ)
半導(dǎo)體制造業(yè)被美國(guó)Factory Mutual System(FMS)列為”極高風(fēng)險(xiǎn)”的行業(yè)。主要是因?yàn)樗谥瞥讨幸褂玫綐O高毒性，腐蝕性及易燃性氣體，氣體檢測(cè)系統(tǒng)一直是半導(dǎo)體芯片廠廠務(wù)各系統(tǒng)中最重要環(huán)節(jié)之一，設(shè)計(jì)上的優(yōu)劣會(huì)直接影響到整個(gè)廠的安全，同時(shí)作為使用儀器的工廠安全人員也應(yīng)該具備氣體檢測(cè)的安全意識(shí)。
安全生產(chǎn)是關(guān)系人民群眾生命財(cái)產(chǎn)安全的大事，是經(jīng)濟(jì)社會(huì)協(xié)調(diào)發(fā)展的標(biāo)志。在生產(chǎn)過(guò)程中，通過(guò)安裝氣體檢測(cè)報(bào)警裝置，時(shí)刻檢測(cè)有毒有害氣體泄漏濃度，將風(fēng)險(xiǎn)隱患控制在源頭。
理研計(jì)器擁有600多種氣體傳感器和100多種氣體探測(cè)器。未來(lái)，我們?nèi)詫⒉粩嚅_(kāi)發(fā)新產(chǎn)品、研發(fā)各項(xiàng)新功能，使得氣體檢測(cè)儀在應(yīng)用上更先進(jìn)、更適合日新月異的市場(chǎng)環(huán)境，致力于為用戶(hù)提供一個(gè)可靠、準(zhǔn)確、安全的氣體檢測(cè)方案。
理研計(jì)器必將在未來(lái)氣體產(chǎn)業(yè)的生命安全畫(huà)卷中，添上濃墨重彩的一筆，守護(hù)人們的幸福生活，為生產(chǎn)和生活不斷創(chuàng)造新價(jià)值！為用戶(hù)選配適合原理的檢測(cè)儀，用成熟的工藝完善氣體檢測(cè)系統(tǒng)。